Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
FD6M043N08
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- EPM15
- Seri / Aile Numarası
- FD6M043N08
FD6M043N08 Hakkında
FD6M043N08, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltaj desteği ile 65A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevlerinde kullanılır. 4.3mΩ (10V, 40A'de) düşük on-state direnci ile verimli işletim sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışan EPM15 paketli bu MOSFET, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtarlama uygulamalarına uygundur. 148nC gate charge ve 6180pF input capacitance değerleri ile hızlı komütasyon özelliğine sahiptir. Parça obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 148nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6180pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | EPM15 |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | EPM15 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok