Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

FD6M033N06

N-CHANNEL POWER MOSFET

Paket/Kılıf
EPM15
Seri / Aile Numarası
FD6M033N06

FD6M033N06 Hakkında

FD6M033N06, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-Channel Power MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi, 73A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 3.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Gate Charge 129nC ve Input Capacitance 6010pF özellikleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. Through Hole montajlı EPM15 pakette sunulan bu komponent, güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC konverter ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Obsolete statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 73A
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Standard
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 129nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6010pF @ 25V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case EPM15
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 40A, 10V
Supplier Device Package EPM15
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok