IGBT Transistörler - Modüller

FD250R65KE3KNOSA1

IGBT MOD 6500V 250A 4800W

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
FD250R65KE3

FD250R65KE3KNOSA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen FD250R65KE3KNOSA1, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) modülüdür. 6500V kolektör-emitter kırılma voltajı ve 250A maksimum kolektör akımı ile endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 4800W güç kapasitesi ile AC/DC konvertörler, inverterler, kaynak makineleri ve motor kontrol uygulamalarında etkin çalışır. Chassis mount montajı ile doğrudan soğutucu yüzeylere tutturulabilir. -50°C ile 125°C arasında çalışabilen bu modül, düşük Vce(on) değeri (3.4V @ 15V, 250A) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Single konfigürasyonu ile basit entegrasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Single
Current - Collector (Ic) (Max) 250 A
Current - Collector Cutoff (Max) 5 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 69 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor No
Operating Temperature -50°C ~ 125°C
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 4800 W
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 250A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 6500 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok