IGBT Transistörler - Modüller
FD200R12KE3PHOSA1
IGBT MODULE 1200V 200A
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FD200R12KE3
FD200R12KE3PHOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen FD200R12KE3PHOSA1, 1200V kollektör-emiter kırılma voltajı ve 200A maksimum akım kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılan Trench Field Stop IGBT modülüdür. 2.15V Vce(on) karakteristiği ile verimli anahtarlama performansı sunar. -40°C ile 125°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu modül, endüstriyel sürücüler, invertörler ve AC motorların kontrolü gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Chassis mount konfigürasyonu ile güç sistemlerine doğrudan entegrasyon sağlar. 14 nF giriş kapasitansi değeri hızlı anahtarlama geçişlerine olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok