IGBT Transistörler - Modüller
FD200R12KE3HOSA1
IGBT MODULE 1200V 1050W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FD200R12KE3
FD200R12KE3HOSA1 Hakkında
FD200R12KE3HOSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/1050W güç sınıfında bir IGBT modülüdür. Single Chopper konfigürasyonunda tasarlanmış bu modül, Trench Field Stop IGBT teknolojisi kullanarak yüksek anahtarlama hızı ve düşük ön kapasitans değerleri sunar. 200A nominal akım ile endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde kullanılır. Chassis Mount tipi terminal konfigürasyonu ile ısı yönetimi kolaylığı sağlar. -40°C ile +125°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen modül, 2.15V Vce(on) değeri ile verimli güç transferi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single Chopper |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1050 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok