IGBT Transistörler - Modüller
FD-DF80R12W1H3_B52
IGBT MOD 1200V 40A 215W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- FD-DF80R12W1H3
FD-DF80R12W1H3_B52 Hakkında
FD-DF80R12W1H3_B52, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V/40A IGBT modülüdür. Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, 215W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 40A'de 2.4V olup, standart giriş sinyalleri ile uyumludur. NTC termistor entegrasyonu sayesinde sıcaklık kontrolü sağlar. -40°C ile 125°C arasında çalışabilen modül, şasi montajı için uygun case tasarımına sahiptir. Yüksek gerilim anahtarlama uygulamaları, endüstriyel sürücüler, kaynak makineleri ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Single |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 235 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 215 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok