Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil
FA4F4M-T1B-A
PROGRAM ADAPTER
- Üretici
- Renesas Electronics Corporation
- Paket/Kılıf
- —
- Seri / Aile Numarası
- FA4F4M
FA4F4M-T1B-A Hakkında
FA4F4M-T1B-A, Renesas Electronics tarafından üretilen NPN tipi ön beslemeli (pre-biased) transistördür. Entegre 22Ω base ve 22Ω emitter-base dirençleriyle birlikte gelen bu komponent, programlama adaptörleri ve düşük güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 100mA kollektör akımı, 200mV saturasyon voltajı ve 50V çıkmazlama voltajı ile çalışır. 200mW güç derecelendirilmesi ve en az 60 (hFE @ 50mA, 5V) DC akım kazancı özelliğine sahiptir. Şu anda üretim dışı durumda olup, eski sistemlerin bakım ve onarımında veya arşiv uygulamalarında referans alınabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200 mW |
| Resistor - Base (R1) | 22 Ohms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 Ohms |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 250µ, 5mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok