IGBT Transistörler - Modüller
F475R12KS4BOSA1
IGBT MOD 1200V 100A 500W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- F475R12KS4BOSA1
F475R12KS4BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen F475R12KS4BOSA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış IGBT modülüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 100A maksimum collector akımı ile yüksek güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 500W maksimum güç kapasitesi ve -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çevre kontrolü için entegre NTC thermistor bulunmaktadır. Chassis mount tipi montaj seçeneği ile endüstriyel güç elektronikleri, sürücü sistemleri ve yenilenebilir enerji dönüştürücülerinde uygulanmaktadır. Vce(on) max 3.75V @ 15V, 75A olup düşük açık-devre kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 5.1 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 500 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.75V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok