IGBT Transistörler - Modüller
F475R12KS4B11BOSA1
IGBT MOD 1200V 100A 500W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- F475R12KS4B11BOSA1
F475R12KS4B11BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen F475R12KS4B11BOSA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 100A maksimum collector akımı ile endüstriyel güç dönüştürme sistemlerinde kullanılır. 500W güç kapasitesi, -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ve entegre NTC thermistor ile termal kontrol sağlar. Chassis mount konfigürasyonu ile sabit uygulamalarda montaj imkanı sunar. 3.75V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları ve 5.1nF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sağlayan modüler tasarıma sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 5.1 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Market |
| Power - Max | 500 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.75V @ 15V, 75A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok