Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
F445MR12W1M1B76BPSA1
MOSFET MODULE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- F445MR12W1M1B76BPSA1
F445MR12W1M1B76BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen F445MR12W1M1B76BPSA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayanan yüksek voltajlı MOSFET modülüdür. 4 N-Channel transistörden oluşan Half-Bridge konfigürasyonunda tasarlanmış olan bu bileşen, 1200V drain-source gerilimi ile endüstriyel güç uygulamalarında kullanılır. 25A sürekli drain akımı, 45mOhm on-state direnci (Rds) ve düşük gate charge (62nC) özellikleriyle hızlı anahtarlama işlemlerine uygun bir tasarımdır. Chassis mount ile montajlanan modül, -40°C ile +150°C arasında çalışabilir. Invertör, konverter, motor kontrol ve güç dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1.84nF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 25A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok