IGBT Transistörler - Modüller
F423MR12W1M1PB11BPSA1
MOSFET MODULE 1200V 4PACK
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- F423MR12W1M1PB
F423MR12W1M1PB11BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen F423MR12W1M1PB11BPSA1, 1200V Full Bridge konfigürasyonunda MOSFET modül transistördür. 50A maksimum collector akımı ve Trench tipi IGBT teknolojisi ile tasarlanmıştır. 3.68 nF giriş kapasitansi (Cies @ 800V) ile hızlı anahtarlama işlemleri sağlar. NTC Thermistor entegrasyonu, sıcaklık kontrolü ve koruması için yerleşik sensör sunar. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Chassis Mount tipi montaj ile endüstriyel güç kontrol uygulamalarında, solar inverterler, motor sürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılır. AG-EASY1B-2 paket standardı ile pin konfigürasyonu ve thermal management özelliği optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Full Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| IGBT Type | Trench |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.68 nF @ 800 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 20 mW |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok