Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
F423MR12W1M1B76BPSA1
MOSFET MODULE
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- F423MR12W1M1B76BPSA1
F423MR12W1M1B76BPSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen F423MR12W1M1B76BPSA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı 4 N-Channel Half Bridge MOSFET modülüdür. 1200V (Vdss) dayanımına sahip bu bileşen, 45A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 22.5mOhm (Rds On) ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. Chassis mount tipi paketleme ile endüstriyel sürücü devreleri, güç inverterler, motor kontrol sistemleri ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3.68nF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok