IGBT Transistörler - Modüller

F423MR12W1M1B11BOMA1

LOW POWER EASY

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
F423MR

F423MR12W1M1B11BOMA1 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen F423MR12W1M1B11BOMA1, Full Bridge konfigürasyonunda bir IGBT transistör modülüdür. Trench tipi IGBT teknolojisi ile tasarlanan bu bileşen, maksimum 50A kolektör akımı ve 1200V kolektör-emitter kırılma gerilimi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Chassis mount tipi kasa ile endüstriyel ortamlara uygun şekilde tasarlanmıştır. Dahili NTC thermistor sensörü sayesinde sıcaklık kontrolü sağlar. -40°C ile +150°C arasında çalışan bu modül, anahtarlama kaynakları, motor kontrol devreleri, değiştiriciler (inverter) ve benzer güç elektronik uygulamalarında tercih edilir. 3.68 nF giriş kapasitansı ve standart giriş konfigürasyonu ile hızlı komutasyon özellikleri sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Full Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) 50 A
IGBT Type Trench
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.68 nF @ 800 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 0.2 W
Supplier Device Package AG-EASY1BM-2
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok