Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
F415MR12W2M1B76BOMA1
LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- F415MR12W2M1B76BOMA1
F415MR12W2M1B76BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen F415MR12W2M1B76BOMA1, 4 N-Channel Half Bridge konfigürasyonunda Silicon Carbide (SiC) tabanlı MOSFET dizi modülüdür. 1200V Drain to Source gerilim dayanımına ve 75A sürekli drenaj akımına sahiptir. 15mOhm (75A, 15V koşullarında) düşük açık direnci ile enerji verimliliği sağlar. Gate Charge 186nC ve Input Capacitance 5.52nF (800V'da) değerleriyle hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Kassis montajlı AG-EASY1B-2 paketinde sunulan bu bileşen, -40°C ile +150°C arasında çalışır. Yüksek gerilim uygulamaları, endüstriyel güç dönüştürücüleri, inverter devreleri ve SiC teknolojisinin avantajlarından yararlanılması gereken tüm anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 186nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5.52nF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 75A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 30mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok