Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
F411MR12W2M1B76BOMA1
LOW POWER EASY AG-EASY2B-2
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Seri / Aile Numarası
- F411MR12W2M1B76BOMA1
F411MR12W2M1B76BOMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen F411MR12W2M1B76BOMA1, Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir güç transistörü modülüdür. 4 N-Channel konfigürasyonda Half Bridge düzeni ile tasarlanmış olup, 1200V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 11.3mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Chassis mount modülü, -40°C ile 150°C arasında çalışır. Yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında, inverter devreler, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. EASY2B-2 paket tipi ile entegrasyon kolaylığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 248nC @ 15V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7.36nF @ 800V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 100A, 15V |
| Supplier Device Package | AG-EASY1B-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok