IGBT Transistörler - Modüller
F4100R12KS4BOSA1
IGBT MOD 1200V 130A 660W
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- Module
- Kategori
- IGBT Transistörler - Modüller
- Seri / Aile Numarası
- F4100R12KS4
F4100R12KS4BOSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen F4100R12KS4BOSA1, üç fazlı inverter uygulamaları için tasarlanmış bir IGBT modülüdür. 1200V kolektör-emiter bozulma voltajı ve 130A maksimum akım kapasitesi ile yüksek güç dönüşüm uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 660W maksimum güç derecelendirmesi ile endüstriyel sürücü, kaynak makineleri, fotovoltaik inverterleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. Gömülü NTC termistör ile sıcaklık izlemesi sağlar. -40°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Chassis mount konfigürasyonu ile doğrudan soğutma araçlarına entegrasyona olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Configuration | Three Phase Inverter |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 130 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 6.8 nF @ 25 V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Package / Case | Module |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 660 W |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.75V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok