IGBT Transistörler - Modüller

F3L200R12N2H3B47BPSA2

LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411

Paket/Kılıf
Module
Seri / Aile Numarası
F3L200R12N2H3B47

F3L200R12N2H3B47BPSA2 Hakkında

Infineon Technologies tarafından üretilen F3L200R12N2H3B47BPSA2, Three Level Inverter konfigürasyonunda tasarlanmış düşük güçlü IGBT transistör modülüdür. AG-ECONO2B-411 paketinde sunulan bu komponent, 1200V collector-emitter breakdown voltajı ve 150A maksimum collector akımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate-emitter voltajında 2.15V olup, -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Entegre NTC thermistor ve chassis mount yapısıyla termal yönetim ve montaj kolaylığı sunar. Güç elektroniği, inverter devreleri ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Configuration Three Level Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 150 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1 mA
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11.5 nF @ 25 V
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case Module
Part Status Active
Power - Max 20 mW
Supplier Device Package AG-ECONO2B
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok