Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
F1T7GHA0G
DIODE GEN PURP 1A TS-1
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- F1T7GHA0G
F1T7GHA0G Hakkında
F1T7GHA0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery rectifier diyottur. 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 1000V reverse voltage derecelendirmesi ile güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde kullanılır. 500ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through hole montajı ile geleneksel PCB tasarımlarına uygun, -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışır. 1.3V maksimum forward voltage düşüşü ve 5µA @ 1000V reverse leakage current özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | T-18, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 500 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TS-1 |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok