Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

F1T4GHA1G

DIODE GEN PURP 400V 1A TS-1

Paket/Kılıf
Axial
Seri / Aile Numarası
F1T4GHA1G

F1T4GHA1G Hakkında

F1T4GHA1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 400V 1A kapasiteli genel amaçlı fast recovery diyottur. TS-1 (T-18) axial through-hole paketinde sunulan bu komponent, 1.3V forward voltage düşüşü ve 150ns reverse recovery time karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen diyot, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, invertör devreleri ve anahtarlama uygulamalarında doğrultma görevinde kullanılır. 15pF kapasitanS (4V, 1MHz) ve 5µA reverse leakage current (400V) özellikleriyle düşük hassasiyet gerektiren uygulamalara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 400 V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Package / Case T-18, Axial
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 150 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package TS-1
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 1 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok