Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
F1T3GHA1G
DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- F1T3GHA1G
F1T3GHA1G Hakkında
F1T3GHA1G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 200V reverse voltage (Vr) kapasitesi ve 1A average rectified current (Io) ile doğrultma uygulamalarında kullanılır. 1.3V forward voltage (Vf) ve 150ns reverse recovery time (trr) özellikleri ile düşük kayıplar sağlar. T-18 axial through hole pakette sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, AC/DC dönüştürücüler, güç kaynakları, enerji dönüştürme devreleri ve genel amaçlı doğrultma uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. 5µA reverse leakage current ve 15pF kapasitans değerleri ile şebeke ve endüstriyel elektronik tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | T-18, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TS-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok