Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
F1T3GHA0G
DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- F1T3GHA0G
F1T3GHA0G Hakkında
F1T3GHA0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaç doğrultucu diyottur. 200V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile AC/DC güç kaynakları, adaptörler ve endüstriyel elektronik devrelerde kullanılır. Fast Recovery karakteristiğine sahip olup 150 ns reverse recovery time ile yüksek frekanslı uygulamalarda performans gösterir. 1.3V forward voltage düşüşü ve 5 µA ters sızıntı akımı ile verimli çalışır. T-18 axial paket ile through-hole montaj desteği sağlar. -55°C ile 150°C arasında stabil çalışan bu diyot, genel doğrultma uygulamalarında güvenilir bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | T-18, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TS-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok