Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
F1T2GHA0G
DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- F1T2GHA0G
F1T2GHA0G Hakkında
F1T2GHA0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 100V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Fast recovery tipi diyot olarak 150 ns reverse recovery time'a sahiptir. Through hole montajı için T-18 axial paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olan bu bileşen, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, doğrultucu köprüler ve genel sinyal doğrultlama uygulamalarında kullanılır. 1.3V @ 1A forward voltaj ve 5µA @ 100V ters sızıntı akımı özellikleriyle kompakt ve verimli bir çözüm sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | T-18, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | TS-1 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok