Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ESH3C V6G
DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ESH3C
ESH3C V6G Hakkında
ESH3C V6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 150V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, 20ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount DO-214AB (SMC) paketinde sunulan diyot, -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. 5µA @ 150V ters kaçak akımı ve 45pF @ 4V kapasitansı ile sağlanan özellikler, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, aydınlatma sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda yer alan doğrultma devreleri için uygun bir seçenektir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 150 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok