Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ESH3B R6G
DIODE GEN PURP 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ESH3B
ESH3B R6G Hakkında
ESH3B R6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 3A kapasiteli hızlı iyileştirme (fast recovery) doğrultma diyotudur. DO-214AB (SMC) yüzey monte paketinde sunulan bu diyot, 100V ters gerilim ile çalışır ve 900mV ön yönlü gerilim düşümüne sahiptir. 20ns ters kurtarma zamanı (reverse recovery time) ile devre tasarımında düşük anahtarlama kaybı sağlar. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) stabil çalışan bu komponent, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 5µA @ 100V ters sızıntı akımı ile düşük kayıp karakteristiği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok