Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ESH3B M6G
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ESH3B
ESH3B M6G Hakkında
ESH3B M6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 100V 3A kapasiteli genel amaçlı doğrultucu diyottur. DO-214AB (SMC) surface mount paketinde sunulan bu diyot, 20 ns reverse recovery time ile hızlı dönüşüm özelliğine sahiptir. 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve maksimum 900 mV forward voltage ile anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları ve AC doğrultma uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 45 pF kapasitans ve 5 µA reverse leakage current özellikleri ile hassas elektronik tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok