Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ESH2BA R3G
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ESH2BA
ESH2BA R3G Hakkında
ESH2BA R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 100V ters voltaj daya, 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ve 25ns reverse recovery time ile karakterize edilir. Fast recovery diyot olarak sınıflandırılan bu bileşen, 900mV maksimum forward voltaj düşümü sağlar. Yüksek hızlı anahtarlama devrelerinde, SMPS sistemlerinde ve güç kaynağı uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Surface mount DO-214AC (SMA) paketinde sunulan ESH2BA R3G, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Düşük kapasitans değeri (25pF @ 4V) sayesinde yüksek frekanslı uygulamalarda da tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok