Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ESH1DM RSG
DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- 2-SMD
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ESH1DM
ESH1DM RSG Hakkında
ESH1DM RSG, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı bir doğrultucu diyottur. 200V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu komponent, fast recovery tipi diyotlar sınıfına aittir. 25 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount Micro SMA paketinde sunulan ESH1DM RSG, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışmaktadır. Düşük kapasitans değeri (3pF @ 4V) sayesinde yüksek frekanslı devreler, güç kaynağı rectifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1.5V maksimum forward voltage ile verimli doğrultulama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 3pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | 2-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Micro SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok