Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ESH1C R3G
DIODE GEN PURP 150V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ESH1C
ESH1C R3G Hakkında
ESH1C R3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 150V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım değerleriyle tasarlanmıştır. Fast recovery özelliğine sahip olup, 15ns ters iyileşme süresi (trr) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DO-214AC (SMA) yüzey montajlı paket tipinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanmaktadır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 950mV maksimum ön gerilim düşüşü ve 1µA ters kaçak akımı özellikleri taşır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 150 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 15 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok