Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ESH1BHE3_A/I
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ESH1BHE3
ESH1BHE3_A/I Hakkında
ESH1BHE3_A/I, Vishay tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 100V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 25 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, güç kaynakları, invertör devreleri, AC-DC dönüştürücüler ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır. 900 mV forward voltage ve 1 µA reverse leakage akımı özellikleriyle güvenilir performans sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 25 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok