Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ESH1B M2G
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ESH1B
ESH1B M2G Hakkında
ESH1B M2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 100V/1A genel amaçlı doğrultma diyodudur. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu fast recovery diyodu, 15 ns düşük reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum forward voltajı 1A'de 900 mV olan komponent, 1 µA'de 100V ters kaçak akımı ve 16 pF kapasitansı ile AC/DC konverter, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel otomasyon devrelerinde yer alır. -55°C ile +175°C arasında çalışan ESH1B M2G, SMT üretim süreçlerine uyumlu bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 16pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 15 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok