Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3JHM6G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3JHM6G
ES3JHM6G Hakkında
ES3JHM6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı silisyum diyotudur. 600V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulan akım kapasitesine sahip bu fast recovery diyotu, AC-DC konverterler, güç kaynakları, invertörler ve endüstriyel uygulamalarda kullanılmaktadır. DO-214AB (SMC) yüzey montaj paketinde sunulan ES3JHM6G, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 35ns düşük reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 1.7V forward voltaj düşüşü ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok