Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3JBHM4G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3JBHM4G
ES3JBHM4G Hakkında
ES3JBHM4G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileşme diyotudur. 600V maksimum ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler ve oto restore uygulamalarında kullanılır. DO-214AA (SMB) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, 35ns ters iyileşme süresi ve 1.45V @ 3A ileri gerilim karakteristikleri ile standart diyot uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 10µA @ 600V ters kaçak akımı özellikleriyle düşük kayıp performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok