Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3JB M4G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3JB
ES3JB M4G Hakkında
ES3JB M4G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery doğrultucu diyottur. DO-214AA (SMB) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 600V ters voltaj dayanımı ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 1.45V forward voltage @ 3A ile karakterize edilen bileşen, 35ns reverse recovery time performansı sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında stabil çalışan bu diyot, AC/DC güç kaynakları, inverter devreleri, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 34pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.45 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok