Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3J R7G
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3J
ES3J R7G Hakkında
ES3J R7G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 3A kapasitesine sahip genel amaçlı doğrultucu diyottur. DO-214AB (SMC) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. 1.7V @ 3A forward voltajı ve 10 µA @ 600V reverse leakage akımı ile tanımlanır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Anahtarlayıcı güç kaynakları, invertörler, AC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 30pF @ 4V, 1MHz kapasitans değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok