Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3FHM6G
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3FHM6G
ES3FHM6G Hakkında
ES3FHM6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileşmeli doğrultma diyotudur. 300V ters voltaj dayanımı ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount DO-214AB (SMC) paketinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, adaptörler ve AC/DC dönüştürücü devrelerinde yer alır. 35ns ters iyileşme süresi sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 1.3V maksimum forward voltaj ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 30pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 300 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 300 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok