Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3DV V6G
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3DV
ES3DV V6G Hakkında
ES3DV V6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 200V ters gerilim, 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile AC/DC güç kaynakları, anahtarlı mod güç kaynakları (SMPS), inverter devreleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında kullanılır. 20ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri sağlar. Surface mount DO-214AB (SMC) paket tipinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. 10µA ters sızıntı akımı ile düşük kaçak özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok