Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3DV M6G
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3DV
ES3DV M6G Hakkında
ES3DV M6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyodudur. 200V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesiyle güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. DO-214AB SMC paket içinde yüzey monte teknolojisiyle tasarlanmıştır. 20ns reverse recovery time ve fast recovery özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. 900mV maksimum forward voltage @ 3A ile düşük enerji kaybı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok