Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3DBHM4G
DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3DBH
ES3DBHM4G Hakkında
ES3DBHM4G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 200V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile AC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve anahtarlamalı güç sistemlerinde kullanılır. 35ns reverse recovery time ile düşük switching kayıpları sağlar. DO-214AA (SMB) surface mount paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1V forward voltage @ 3A ve 10µA @ 200V ters sızıntı akımı karakteristikleri ile genel doğrultma uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 46pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok