Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3BHM6G
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3BHM6G
ES3BHM6G Hakkında
ES3BHM6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 100V ters voltaj kapasitesine ve 3A ortalama doğrultulmuş akımına sahip bu bileşen, fast recovery diyot kategorisinde yer almaktadır. Surface Mount DO-214AB (SMC) paketinde sunulan diyot, -55°C ile 150°C arasında çalışabilmektedir. 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. 950mV forward voltage değeriyle AC/DC güç kaynakları, şarj devreleri, anahtarlamalı güç birimlerinde ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır. 10µA @ 100V leak current ile düşük sızıntı akımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok