Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES3B M6G
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES3B
ES3B M6G Hakkında
ES3B M6G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı silisyum doğrultucu diyottur. 100V ters gerilim, 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile AC/DC güç kaynakları, adaptörler, şarj devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) gibi doğrultma uygulamalarında kullanılır. Fast Recovery karakteristiği (35ns reverse recovery time) ile daha düşük ısı kaybı ve daha yüksek verimlilik sağlar. Surface Mount DO-214AB (SMC) paketinde gelmektedir. -55°C ile +150°C arasında güvenilir çalışma sunar. 950mV forward voltage ile enerji dönüşüm uygulamalarında hesapla edilebilir performans gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AB, SMC |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AB (SMC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok