Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES2LJ R5G
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES2LJ
ES2LJ R5G Hakkında
ES2LJ R5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 600V ters gerilim dayanımı ve 2A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, invertörler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 35 ns reverse recovery time ile düşük EMI üretir. DO-214AA (SMB) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.7V forward voltage değeri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Hızlı komutasyon özelliği sayesinde high-frequency switching uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok