Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES2LDHM4G
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES2LDH
ES2LDHM4G Hakkında
ES2LDHM4G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 200V/2A doğrultma diyotudur. Fast recovery tipi bu diyot, 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount DO-214AA (SMB) pakette sunulan bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışır. 940 mV forward voltage ve 10 µA reverse leakage akım özellikleriyle, güç kaynakları, invertörler, AC-DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı devreler gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 940 mV @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok