Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES2JAHR3G
DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES2JAHR3G
ES2JAHR3G Hakkında
ES2JAHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 600V 2A kapasiteli general purpose doğrultma diyotudur. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu fast recovery diyotu, 35 ns reverse recovery time ile karakterize edilmiştir. 1.7V forward voltage ve 10 µA reverse leakage akımı özelliklerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Anahtarlama devreleri, AC/DC konverterler, güç kaynakları ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır. 20pF @ 4V, 1MHz kapasitansı endüstriyel ve tüketici elektronikleri tasarımlarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok