Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES2GAHM2G
DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES2GAHM2G
ES2GAHM2G Hakkında
ES2GAHM2G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 400V 2A kapasitesine sahip genel amaçlı hızlı recovery diyottur. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, doğrultma uygulamalarında, güç kaynakları ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponent, maksimum 1.3V forward gerilim düşüşü ve 10µA ters yönü sızıntı akımı özellikleriyle güvenilir bir tasarım sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 400 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 400 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok