Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES2DHE3J_A/H
DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-214AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES2DHE3J
ES2DHE3J_A/H Hakkında
ES2DHE3J_A/H, Vishay tarafından üretilen 200V, 2A kapasiteli genel amaçlı hızlı iyileştirme diyodudur. DO-214AA (SMB) yüzey montajlı paketinde sunulan bu diyot, 20ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. 900mV forward voltaj düşüşü ve 10µA reverse leakage akımı ile karakterize edilmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip bu bileşen, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve ağır endüstriyel uygulamalarda kullanılmaktadır. 18pF kapasitans değeri ile yüksek frekans uygulamalarında da tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900 mV @ 2 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok