Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES2BAL M3G
35NS, 2A, 100V, SUPER FAST RECOV
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-221AC
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES2BAL
ES2BAL M3G Hakkında
ES2BAL M3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen 2A 100V super fast recovery diyotudur. 35 ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılan standart doğrultma diyotudur. DO-221AC (SMA) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve hızlı anahtarlama devrelerinde yer alır. -55°C ile 150°C arasında güvenilir çalışma sunar. 950 mV ileri gerilim düşümü ve 1 µA ters sızıntı akımı karakteristiği ile verimli enerji dönüşümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-221AC, SMA Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | Thin SMA |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok