Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES2BAHR3G
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES2BAHR3G
ES2BAHR3G Hakkında
ES2BAHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 100V ters voltaj kapasitesi ve 2A ortalama doğrultuş akımı ile AC/DC dönüştürme uygulamalarında kullanılır. DO-214AC (SMA) yüzey montajı paketinde sunulan bu diyot, 35ns ters iyileştirme zamanı ile anahtarlamalı güç kaynakları, adaptörler ve endüstriyel kontrol devreleri gibi hızlı anahtarlama gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok