Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES2B M4G
DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- DO-214AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES2B
ES2B M4G Hakkında
ES2B M4G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 100V ters voltaj dayanımı ve 2A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, şarj devrelemeleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount DO-214AA (SMB) paketinde sunulan bileşen, 35ns düşük reverse recovery time ile hızlı anahtarlama işlemleri gerektiren AC/DC dönüştürücülerde ve inverter devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu diyot, 950mV forward voltage düşüşü ile enerji verimliliği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AA, SMB |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok