Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES2AAHR3G
DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES2AAHR3G
ES2AAHR3G Hakkında
ES2AAHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 50V ters gerilim dayanımı ve 2A ortalama doğrultulu akım kapasitesi ile doğrultucu uygulamalarda kullanılır. 35ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde güç kaynakları, invertörler ve DC-DC dönüştürücü devrelerde yaygın olarak uygulanır. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 950mV forward voltage düşüşü ve 10µA reverse leakage current karakteristikleri bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950 mV @ 2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok