Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
ES1LJHR3G
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SMA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- ES1L
ES1LJHR3G Hakkında
ES1LJHR3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 600V ters kapanma voltajı ve 1A ortalama doğrultulmuş akım özelliğine sahip bu bileşen, fast recovery karakteristiği ile 35 ns düşük reverse recovery time sağlar. DO-214AC (SMA) yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 1.7V maksimum forward voltajı ve 5µA reverse leakage akımı ile verimli çalışma özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok